87头条导读 与美光当前的24GbpsGDDR6X标准相比，新的36GbpsGDDR7标准的速度提高了50%。使用384位总线时，峰值GDDR7带宽可以达到1.7TB/s。三星还计划今…
与美光当前的24GbpsGDDR6X标准相比，新的36GbpsGDDR7标准的速度提高了50%。使用384位总线时，峰值GDDR7带宽可以达到1.7TB/s。三星还计划今年发布32GbDDR5芯片，并设想到2030年可以实现1000层V-NAND存储的未来。
三星展示了新一波的内存解决方案和未来计划，以指数级提高数据中心、服务器、移动、游戏和汽车市场的性能。今年三星技术日的内存亮点包括DDR5RAM容量的提高、下一代GDDR标准的发布以及V-NAND存储技术的未来愿景。
对于DRAM市场，三星正在加速1b生产工艺，借助High-K等技术，该工艺允许扩展到10纳米以上。该公司将很快推出每个内存芯片32Gb的DDR5密度，比现有的16Gb增加2倍，比24Gb芯片增加33%。此外，用于手机和超极本的8.5GbpsLPDDR5XDRAM解决方案也有望在来年得到更多采用。将进一步开发定制的DRAM解决方案，例如HBM-PIM、AXDIMM和CXL，以实现人工智能和神经网络应用程序的加速处理。
下一代GPU将受益于更快的RAM，因为这家韩国巨头宣布了传输速率高达36Gbps的GDDR7规格。与某些NvidiaRTX4000卡提供的美光当前24GbpsGDDR6X芯片相比，这一新标准应将速度提高50%。使用384位总线，GDDR7理论上可以提供1.7TB/s的带宽，但256位总线仍然可以突破1TB/s的限制。
最后但同样重要的是，三星谈到了V-NAND存储内存芯片的改进。1TbTLCV-NAND芯片将于2022年底上市，第九代V-NAND的开发已经在进行中，首批芯片计划于2024年生产。三星的目标是到2030年发布1000层V-NAND解决方案。
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