三星宣布36GbpsGDDR7内存标准目标是到2030年发布1000层的V-NAND存储解决方案

导读 与美光当前的24GbpsGDDR6X标准相比,新的36GbpsGDDR7标准的速度提高了50%。使用384位总线时,峰值GDDR7带宽可以达到1.7TB/s。三星还计划今…

与美光当前的24GbpsGDDR6X标准相比,新的36GbpsGDDR7标准的速度提高了50%。使用384位总线时,峰值GDDR7带宽可以达到1.7TB/s。三星还计划今年发布32GbDDR5芯片,并设想到2030年可以实现1000层V-NAND存储的未来。

三星展示了新一波的内存解决方案和未来计划,以指数级提高数据中心、服务器、移动、游戏和汽车市场的性能。今年三星技术日的内存亮点包括DDR5RAM容量的提高、下一代GDDR标准的发布以及V-NAND存储技术的未来愿景。

对于DRAM市场,三星正在加速1b生产工艺,借助High-K等技术,该工艺允许扩展到10纳米以上。该公司将很快推出每个内存芯片32Gb的DDR5密度,比现有的16Gb增加2倍,比24Gb芯片增加33%。此外,用于手机和超极本的8.5GbpsLPDDR5XDRAM解决方案也有望在来年得到更多采用。将进一步开发定制的DRAM解决方案,例如HBM-PIM、AXDIMM和CXL,以实现人工智能和神经网络应用程序的加速处理。

下一代GPU将受益于更快的RAM,因为这家韩国巨头宣布了传输速率高达36Gbps的GDDR7规格。与某些NvidiaRTX4000卡提供的美光当前24GbpsGDDR6X芯片相比,这一新标准应将速度提高50%。使用384位总线,GDDR7理论上可以提供1.7TB/s的带宽,但256位总线仍然可以突破1TB/s的限制。

最后但同样重要的是,三星谈到了V-NAND存储内存芯片的改进。1TbTLCV-NAND芯片将于2022年底上市,第九代V-NAND的开发已经在进行中,首批芯片计划于2024年生产。三星的目标是到2030年发布1000层V-NAND解决方案。

未经允许不得转载:87头条 » 三星宣布36GbpsGDDR7内存标准目标是到2030年发布1000层的V-NAND存储解决方案

赞 (0)