碲化铌展现下一代存储器材料前景 超低熔点 用途广泛

导读 近日，美国东北大学的研究员在《先进材料》上发表了一篇关于一种名字叫做碲化铌材料的研究报告，在这篇研究报告，表明了在制造面积较大的二…

近日，美国东北大学的研究员在《先进材料》上发表了一篇关于一种名字叫做碲化铌材料的研究报告，在这篇研究报告，表明了在制造面积较大的二维范德华四硫属化方物的这一方面技术有着极其广泛的用途。通过使用这项研究，科学家们在该种化物方面成功的制造出一种非常具有前景的材料，这种材料的名字叫做碲化铌。据了解，这种材料的起始温度大约为447℃，熔点非常的低。

变相储存器在目前的科技领域内，是一种非常容易失去效果的储存器，这种储存器在过程中使用的相变材料从原本的非晶态的相变材料慢慢的转变成为晶态的相变材料。这种缓慢的变化，里面出现了一些可逆转性的电特性，而这些电特性可以去用来储存，也可以用来解锁数据。经过研究发现，二维范德华过渡金属二硫属化物已经成为了一种在箱变材料领域内非常有前景的材料，这种材料还可以用来制作相变储存器。

对于这一领域来讲，虽然正处于缓慢起步的阶段，但是使用二维范德华的过渡金属二硫属化物这一材料在制作箱变储存器时，毫无疑问增加了储存器的储存密度以及快速的读写能力。对数据的储存有着明显的改变作用，这些材料的制作方法极其的简单，如果想要大规模的量产的话，仍旧有着极大的挑战。

研究员对外所发布的这项研究结果表明了溅射在当前社会是一种用途较为广泛的技术，只需要将制作材料放到基本上，就可以精准的对材料的厚度以及成分去进行控制，这次使用溅射。研究而出的碲化铌薄膜最初的形态是非晶派，但是在272℃左右的高温，经过退火之后可转化成为二维层状晶属，这种材料和传统的储存化合物区相比较的话，这种材料在运行时它的能量明显降低了很多。

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