半导体芯片迎大突破 全新的铁电晶体管更小 更快 更节能

导读 近日，美国宾夕法尼亚大学工程与应用科学学院的研究人员正式推出了一种新的fe-fet设计，这项设计在计算和存储方面有了破纪录的性能表现。据…

近日，美国宾夕法尼亚大学工程与应用科学学院的研究人员正式推出了一种新的fe-fet设计，这项设计在计算和存储方面有了破纪录的性能表现。据了解，采技术打造算的精的晶体管，在铁电材料碳化铝抗上，覆盖了一种叫做二硫化钼的二维半导体，通过这样的方式证明了这两种材料可以结合在一起，从而制造出对工业制造更加有吸引的晶体管。研究人员表示，将铁电绝缘体材料和二维半导体材料结合在一起，能够让两者变得更加的节能，这样就可以运用在计算和存储方面，提升整个设备的效率。

据了解，这个设备允许每个单独的设备以最小的表面积运行，而且这些微型设备还能够扩展到工业平台的大型阵列方面，整个半导体设备只有0.7纳米，最初的时候并不确定他们是否能够承受铁电材料中的大量电荷。但是让人感到惊讶的是，他们不仅能够承受这些电荷，而且还能让半导体携带的电流量突破原先的记录。

针对这样的性能表现，研究人员表示，一个设备能够携带的电流越多，那么这个设备在计算机应用上的运行速度就会变得越来越快，电阻越低的话存储器的访问速度也就会变得越快。除此之外，此次两个不同材料的结合也是晶体管技术的全新突破，可以帮助一些元器件变得更加小型化，在这一次的新研究中，使用了20铁电材料和0.7那米的纳米的moS 2设备，能够让整个设备更可靠的去存储数据。

该研究团队还表示，下一步中，团队的工作目标将会集在设备的小型化处理上，去生产在足够电压下工作的一些设备。通过这样的方式，打造出更加兼容领先的消费设备资源，随着后续的技术发展，很多的功能设备都可以在实际应用中占据一席之地，尤其是那些支持人工智能消费的领域。

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