联发科将在今年晚些时候推出全球首款4nm旗舰 SoC击败高通

导读 联发科将于今年晚些时候在市场上推出首款 4 纳米芯片组。该公司将使用台积电的新 4 纳米节点，以推出其首款真正的旗舰 SoC，使其领先…

联发科将于今年晚些时候在市场上推出首款 4 纳米芯片组。该公司将使用台积电的新 4 纳米节点，以推出其首款真正的旗舰 SoC，使其领先于高通及其即将推出的骁龙 898。

几天前，我们报道了联发科和高通将在3纳米架构的竞赛中击败苹果。然而，在此之前，4 纳米工艺将会到来，而且联发科似乎将率先实现这一目标，并在该工艺中击败高通。

据最新报道，联发科正准备在今年晚些时候推出一款旗舰 SoC。据推测，该芯片组将用于价格在 600 美元以上的设备，并且可以提供与高通公司最佳性能相匹配的性能。

虽然该公司目前的产品提供卓越的性能，联发科看起来是落后一代的旗舰SoC的性能方面，与新Dimensity 1200更加看齐的的Snapdragon 870比Snapdragon的888。看来，新的芯片组将建立在 4 nm TSMC 节点上。联发科目前的冠军天玑 1200 建立在台积电的 6 纳米工艺之上。

如前所述，这款新芯片组旨在用于高端设备，而不是我们在最近的 Dimensity 系列产品中看到的次高端手机。然而，联发科在市场上的声誉是否已经恢复到足以在该领域展开竞争还有待观察。

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