台积电表示在日本生产先进芯片的可能性不排除，2nm研发进展顺利

导读 集微网消息，据日本共同社报道，台积电于6月30日在日本横滨召开记者会，就日本工厂的最新情况进行了说明。台积电副总经理张晓强表示，未来…

集微网消息，据日本共同社报道，台积电于6月30日在日本横滨召开记者会，就日本工厂的最新情况进行了说明。台积电副总经理张晓强表示，未来在日本生产先进芯片的可能性不排除。此外，台积电日本公司社长透露，熊本工厂的外墙施工正在进行中，预计年内即可投入使用。

在记者会上，台积电表示日本工厂将以日本客户为主要服务对象，预计将面临持续且旺盛的需求。据之前的消息，该工厂计划生产22/28纳米和12/16纳米芯片，月产能目标为5.5万片晶圆。

此外，据日媒电波新闻报道，台积电在发布会上强调，2纳米制程（N2）的研发进展顺利，计划按照之前的目标于2025年开始量产。张晓强还表示，256Mb SRAM芯片的良率已经超过50%，研发目标80%以上的完成度已经达到。

台积电过去主要依赖成熟制程生产汽车芯片，但随着电动汽车、自动驾驶等技术的普及，台积电正在加快引进最先进的制程技术。张晓强表示，通过引入新的技术平台“Auto Early”，将使得汽车芯片引入3纳米制程的时间至少提前2年。

此前报道指出，台积电的“日本一厂”计划于2024年底启用投产，而“日本二厂”正在规划中，预计总投资超过1万亿日元，并有望引入5-10纳米的先进制程。

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