标签:闪存

科技

SK海力士发布新型PLC双2.5bit单元写入速度与TLC看齐

admin 发布于 2023-08-22

导读 SK 海力士将计划2025年上半年量产三层堆栈架构的321层NAND闪存。提高存储密度的手段,除了提高层数之外也包括着其他的方案。4bit单元型3D… SK 海力士将计划2025年上半年量产三层堆栈架构的321层NAND闪存。提高存储密度的手段,除了提高层数之外...

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SK海力士发布新型PLC双2.5bit单元写入速度与TLC看齐

admin 发布于 2023-08-22

导读 SK 海力士将计划2025年上半年量产三层堆栈架构的321层NAND闪存。提高存储密度的手段,除了提高层数之外也包括着其他的方案。4bit单元型3D… SK 海力士将计划2025年上半年量产三层堆栈架构的321层NAND闪存。提高存储密度的手段,除了提高层数之外...

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